實現行業前沿的低損耗,擴容分立IGBT XS系列產品線
富士電機株式會社(總部位于日本東京,總裁北澤通宏)很高興宣布在其分立IGBT*1 XS系列產品線中增加了額定電壓為1200 V的產品,可提供行業前沿的低損耗。
*1:絕緣柵雙極型晶體管
1.背景
隨著世界離實現低碳化社會越來越近,人們對在社會和工業基礎設施中進一步節能充滿期待。功率半導體器件是在例如不間斷電源(UPS)、功率調節系統(PCS)和電動汽車(EV)充電器等電力電子設備*2中進行功率轉換和功率控制的關鍵設備。UPS對于因數字革命而不斷擴大投資的數據中心的穩定運行必不可少,而PCS對于可再生能源發電設施必不可少,EV充電器則支持EV充電基礎設施。功率半導體器件的作用是在電路中以重復的短時間增量進行開關(打開和關閉電源),以控制電壓,并在直流和交流之間進行切換。
富士電機的分立IGBT XS系列可降低開關過程中的功率損耗(開關損耗)和電流在電路中流動時的功率損耗(穩態損耗),有助于節省其配備產品的功率。除了現有的額定電壓為650V的產品外,本公司已經開始出售一種新型的額定功率為1200V的產品,以適應各種容量波段的設備,包括幾十kVA的UPS。他們希望擴容的產品線將有助于客戶設備的設計。預計到2023年,配備這些產品的工業設備的市場將從目前的600億日元增長到700億日元*3,并將在全球范圍內擴容,尤其是在需求旺盛的中國和中國臺灣。
*2:轉換和控制電力的設備
*3:通過FE估計